
研究成就與看點(diǎn)
這篇研究是由沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)的 Stefaan De Wolf 教授與美國西北大學(xué)Edward H. Sargent教授團(tuán)隊(duì)連手,發(fā)表于期刊 Advanced Energy Materials。論文題目為"Efficient Narrow Bandgap Pb‐Sn Perovskite Solar Cells Through Self‐Assembled Hole Transport Layer with Ionic Head"。
針對(duì)窄能隙鉛錫(Pb-Sn)鈣鈦礦太陽能電池中,常用電洞傳輸層PEDOT:PSS與鈣鈦礦埋藏接口之間,因聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)與Sn2+反應(yīng)而導(dǎo)致的性能問題,提出創(chuàng)新方法合成一種新型的咔唑基自組裝單分子層(SAM),名為BrNH3-4PACz。此SAM具有雙重功能:咔唑基團(tuán)附著的烷基膦酸錨定基團(tuán)在氧化銦錫(ITO)電極表面提供合適的偶極矩,以實(shí)現(xiàn)有效的電洞提取;離子性的銨溴化物端基則鈍化鈣鈦礦底部表面并調(diào)節(jié)其結(jié)晶。
研究重要成果包括
•電池性能:使用BrNH3-4PACz作為電洞傳輸層的p-i-n結(jié)構(gòu)窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池,實(shí)現(xiàn)了23.0%的最高功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)和0.88 V 的開路電壓(VOC),這在文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)中屬于最高值之一。
•顯著的性能提升與低遲滯:相較于常用的2PACz和 MeO-2PACz SAM,使用BrNH3-4PACz的組件展現(xiàn)出顯著更高的VOC、短路電流密度(JSC)和填充因子(FF),且遲滯現(xiàn)象更小。
•更快的電荷轉(zhuǎn)移速率:瞬態(tài)吸收光譜測(cè)量顯示,BrNH3-4PACz具有更快的電荷轉(zhuǎn)移速率。
•強(qiáng)相互作用與缺陷鈍化:第一原理計(jì)算(DFT)模擬表明,BrNH3+-4PACz與鈣鈦礦表面具有更強(qiáng)的相互作用,并能有效鈍化晶格缺陷。此研究成功解決了窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池中,由于傳統(tǒng)電洞傳輸層PEDOT:PSS引起的接口問題,透過創(chuàng)新的雙功能自組裝單分子層,顯著提升了電池的性能。

研究團(tuán)隊(duì)
這篇研究的通訊作者為沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)的 Stefaan De Wolf 教授,參與這篇研究的學(xué)校主要有:
l 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)
l 美國西北大學(xué) (Northwestern University)
l 立陶宛考納斯理工大學(xué) (Kaunas University of Technology)
研究背景

單接面鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)效率已達(dá)26.1%,接近理論極限,因此開發(fā)疊層太陽能電池成為突破效能限制的關(guān)鍵。窄能隙鉛錫(Pb-Sn)鈣鈦礦(能隙1.21-1.25 eV)是理想的底層光吸收材料,但其性能仍受限于界面問題。
盡管研究者已著重于塊體工程和表面處理,Pb-Sn鈣鈦礦與電洞傳輸層(HTL)的埋藏接口卻常被忽視。目前常用的PEDOT雖能量對(duì)準(zhǔn)良好,但其PSS成分會(huì)氧化Sn2+成Sn4+,并與Au和Ag等金屬產(chǎn)生不良反應(yīng),降低組件性能。
咔唑基自組裝單分子層(SAMs)在純鉛PSCs中表現(xiàn)良好,能提高透明導(dǎo)電氧化物電極的功函數(shù),促進(jìn)電洞提取。然而在窄能隙PSCs中,ITO/SAM結(jié)構(gòu)的VBM(-5.4至-5.9 eV)較深,難以與Pb-Sn鈣鈦礦的淺VBM(-5.1至-5.3 eV)達(dá)成良好對(duì)準(zhǔn),且常需額外表面活性劑處理。
因此,設(shè)計(jì)新型多功能SAM分子以解決窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池中HTL問題成為當(dāng)前研究的迫切需求,旨在克服現(xiàn)有HTL局限性,提升電池整體效能。
解決方案
研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并合成了一種新型的咔唑基自組裝單分子層(SAM)分子,名為BrNH3-4PACz。這個(gè)分子的雙重功能,旨在克服傳統(tǒng)電洞傳輸層(HTL)在窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池應(yīng)用中的限制。
雙功能設(shè)計(jì):
?咔唑基頭部與烷基膦酸錨定基團(tuán)的結(jié)合,可以在氧化銦錫(ITO)電極表面提供合適的偶極矩,實(shí)現(xiàn)與窄能隙鈣鈦礦的理想能帶對(duì)準(zhǔn),從而促進(jìn)有效的電洞提取。
?離子性的溴化銨 (ammonium bromide) 基團(tuán)位于咔唑頭部,能夠鈍化鈣鈦礦的底面并調(diào)節(jié)其結(jié)晶。
解決方案的關(guān)鍵機(jī)制:
?優(yōu)化能量對(duì)準(zhǔn):BrNH3-4PACz使得ITO電極的功函數(shù)與Pb-Sn鈣鈦礦的價(jià)帶頂部(VBM)更好地對(duì)準(zhǔn),相較于傳統(tǒng)的2PACz和MeO-2PACz,其能帶偏移更小,有助于提升電洞提取效率。
?鈍化界面缺陷:溴化銨基團(tuán)可以離解成銨離子(-NH3+)和溴離子(Br-),鈍化鈣鈦礦晶格中的A位陽離子缺陷和碘陰離子缺陷,減少非輻射復(fù)合損失,從而提升開路電壓(VOC)。
?改善結(jié)晶動(dòng)力學(xué):離子性基團(tuán)有助于調(diào)節(jié)鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過程,減少晶界和體積缺陷密度,進(jìn)而提升短路電流密度(JSC)和整體電池性能。
實(shí)驗(yàn)過程與步驟
•BrNH3-4PACz的合成:合成新型的咔唑基SAM分子BrNH3-4PACz。
•鈣鈦礦前驅(qū)物溶液的制備:在氮?dú)獗Wo(hù)的手套箱中,混合了碘化銫(CsI)、碘化甲脒(FAI)、碘化甲胺(MAI)、碘化鉛(PbI2)、碘化錫(SnI2)、氟化錫(SnF2)、硫氰酸胍(GuaSCN)和溴化4-氟苯乙銨(4F-PEABr)于無水DMF和DMSO的混合溶劑中,制備了Cs0.05FA0.70MA0.25Sn0.50Pb0.50I3鈣鈦礦前驅(qū)物溶液,并在黑暗中劇烈攪拌2小時(shí)后,使用 0.20 µm PTFE 濾器過濾備用。
•鈣鈦礦薄膜的制備:
?將ITO基板經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)清潔流程和UV-O3處理。
?通過在 3000 rpm 下旋涂35秒,將 1 mM 濃度的SAM溶液(BrNH3-4PACz使用甲醇/乙醇 (1:1 v/v) 混合溶劑,2PACz和MeO-2PACz使用乙醇)錨定在ITO基板上。
?之后在100°C下退火10分鐘。
?在氮?dú)獗Wo(hù)的手套箱中,將鈣鈦礦前驅(qū)物溶液以 1000 rpm 旋涂10秒,然后以 4000 rpm 旋涂40秒到SAM修飾的ITO基板上。
?在第二步旋涂結(jié)束前20秒進(jìn)行反溶劑淬滅。
?基板立即轉(zhuǎn)移到加熱板上,在100°C下退火10分鐘。
?部分薄膜通過旋涂1,2-二氨基乙烷的氯苯溶液進(jìn)行后處理鈍化,然后在100°C下退火5分鐘。
•太陽能電池組件的制備:制備了倒置p-i-n結(jié)構(gòu)的單接面太陽能電池,結(jié)構(gòu)為玻璃/ITO/SAM/Cs0.05FA0.70MA0.25Pb0.5Sn0.5I3/EDA/C60/BCP/Ag。在鈣鈦礦薄膜上旋涂乙二胺(EDA)溶液作為鈍化層。通過熱蒸鍍沉積 C60 (電子傳輸層)和 BCP (緩沖層)。最后,通過熱蒸鍍沉積銀(Ag)電極。

研究成果與表征
準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)光譜量測(cè)
QFLS與太陽能電池的開路電壓VOC的理論極限相關(guān),是評(píng)估光吸收層質(zhì)量和非輻射復(fù)合損失的重要指標(biāo)。更高的QFLS通常意味著更少的能量損失和更高的VOC潛力。

圖3d-f:分別展示了在ITO/2PACz、ITO/MeO-2PACz和ITO/BrNH3-4PACz基板上制備的窄能隙鈣鈦礦薄膜的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)成像圖。顏色深淺代表QFLS的大小。

圖3g:展示了對(duì)圖3d-f中QFLS分布數(shù)據(jù)的直方圖分析,更清晰地顯示了不同SAMs對(duì)QFLS值的影響。
結(jié)果顯示,使用BrNH3-4PACz的鈣鈦礦薄膜展現(xiàn)出比使用其他SAMs的薄膜高出超過 60 mV 的QFLS增強(qiáng)。這表明BrNH3-4PACz的雙重功能——優(yōu)化能量對(duì)準(zhǔn)和鈍化HTL/鈣鈦礦埋藏界面——有效地減少了能量損失,這與器件性能的提升相符。

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電流密度-電壓(J-V)曲線量測(cè)
評(píng)估太陽能電池組件的光伏性能,J-V曲線的形狀也能反映組件的電荷傳輸和復(fù)合情況,例如是否存在遲滯現(xiàn)象。

圖2c展示了使用不同SAMs的最佳組件在正向和反向掃描下的J-V曲線。

圖2e-h以箱線圖的形式展示了使用不同 ITO/SAM HTLs 制備的窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池的VOC、JSC、FF和PCE的統(tǒng)計(jì)分布。
結(jié)果顯示,使用BrNH3-4PACz作為HTL的組件展現(xiàn)出顯著更高的 VOC (平均 0.88 V)、JSC和 FF (80%),且數(shù)據(jù)偏差更小,相較于使用 2PACz (VOC 約 0.80 V,FF約70%)和 MeO-2PACz (VOC 約 0.79 V,FF約61%)的組件。最佳的BrNH3-4PACz組件取得了23.0%的PCE,VOC為 0.88 V,JSC為 32.2 mA cm?2,FF為81.9%。
使用2PACz和MeO-2PACz的組件的J-V曲線表現(xiàn)出明顯的遲滯現(xiàn)象,這表明電荷在HTL/鈣鈦礦界面存在不平衡和累積。而BrNH3-4PACz組件的遲滯現(xiàn)象則明顯減輕,顯示出優(yōu)異的電荷提取特性。表S3進(jìn)一步總結(jié)了最佳組件的光伏參數(shù)。

外量子效率(EQE)量測(cè)
測(cè)量太陽能電池在不同波長(zhǎng)光照下的光譜響應(yīng),反映電池對(duì)不同波長(zhǎng)光子的收集效率。

圖2d顯示了使用不同SAMs的窄能隙太陽能電池的EQE光譜。使用BrNH3-4PACz的組件在整個(gè)可見光和近紅外波長(zhǎng)范圍內(nèi)都表現(xiàn)出更高的光譜響應(yīng),這與其較高的JSC相一致。通過積分EQE曲線得到的JSC值與J-V測(cè)量結(jié)果相符,進(jìn)一步證實(shí)了BrNH3-4PACz有效提升了電荷收集效率。
其他表征
X射線光電子能譜(XPS)
分析ITO/SAM表面的元素組成和化學(xué)態(tài),驗(yàn)證SAM分子的成功錨定以及BrNH3頭基的完整性。(圖S1b、圖1b-d、表S2、圖S7c)

紫外光電子能譜(UPS):
測(cè)定ITO/SAM和鈣鈦礦的功函數(shù)(WF)和價(jià)帶頂部(VBM),從而分析界面能級(jí)排列情況,判斷電荷注入和提取的勢(shì)壘大小。(圖1i)

原子力顯微鏡(AFM):
觀察ITO/SAM薄膜的表面形貌,測(cè)量其粗糙度,以評(píng)估SAM層的覆蓋均勻性。(圖S3a-c)

開爾文探針力顯微鏡(KPFM):
測(cè)量ITO/SAM表面的表面電勢(shì)和功函數(shù)分布,進(jìn)一步驗(yàn)證SAM分子對(duì)ITO功函數(shù)的調(diào)制效果。(圖1e,f和S3d-f)


瞬態(tài)吸收(TA)光譜:
研究窄能隙鈣鈦礦中激發(fā)電荷載流子的動(dòng)力學(xué)過程,包括電荷轉(zhuǎn)移速率和載流子壽命,從而理解不同SAMs對(duì)電洞提取效率的影響。(圖S10、圖3a和S11-S12、圖3b,c和S12,表S5)

空間電荷限制電流(SCLC)量測(cè):
通過分析電洞專用器件在黑暗條件下的電流-電壓特性,確定陷阱填充極限電壓(VTFL),從而評(píng)估鈣鈦礦薄膜中的陷阱密度。較低的VTFL對(duì)應(yīng)于較低的陷阱密度。(圖S9b)

密度泛函理論(DFT)模擬:
從原子層面研究ITO/SAM/鈣鈦礦界面的缺陷情況,以及引入離子銨基團(tuán)對(duì)界面相互作用和電子結(jié)構(gòu)的影響。(圖4和S14,表S6)

X射線繞射(XRD):
分析在不同ITO/SAM層上制備的鈣鈦礦薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)晶度。(圖S6a,b)

掃描電子顯微鏡(SEM):
觀察在不同ITO/SAM層上生長(zhǎng)的鈣鈦礦薄膜的表面形貌和晶粒尺寸。(圖S5)

結(jié)論
研究團(tuán)隊(duì)成功設(shè)計(jì)并合成了一種全新的咔唑基自組裝單分子層BrNH3-4PACz,并展現(xiàn)了優(yōu)異的性能。這種分子具備雙重功能:咔唑頭基能穩(wěn)固地附著于氧化銦錫(ITO)電極表面,透過合適的偶極矩來優(yōu)化與窄能隙鈣鈦礦的能級(jí)對(duì)準(zhǔn),同時(shí)提升電洞提取效率。此外,頭基上的離子性溴化銨部分還能有效鈍化鈣鈦礦底表面并調(diào)控其結(jié)晶過程,進(jìn)一步改善材料質(zhì)量。
透過這種精心設(shè)計(jì)的分子結(jié)構(gòu),成功制備了p-i-n架構(gòu)的窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池,其能隙為 1.24 eV。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,以BrNH3-4PACz作為電洞傳輸層的組件表現(xiàn)出色,最佳電池的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)高達(dá)23.0%,并實(shí)現(xiàn)了0.88 V 的開路電壓(VOC)及81.9%的填充因子(FF)。
相較于使用傳統(tǒng)SAM(如2PACz和MeO-2PACz)的組件,BrNH3-4PACz使組件的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)提升了超過 60 mV,這與更低的VOC損耗和更高的器件性能相吻合。觀察結(jié)果顯示,最終的VOC損失僅為 370 mV,處于目前的Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池之列。
密度泛函理論(DFT)模擬進(jìn)一步證實(shí),BrNH3-4PACz中的離子性銨基部分有助于鈍化界面缺陷,進(jìn)一步降低非輻射復(fù)合損失。整體而言,本研究設(shè)計(jì)的BrNH3-4PACz自組裝單分子層能夠有效調(diào)控ITO/HTL/鈣鈦礦界面,顯著提升電池效率與電壓。
文獻(xiàn)參考自Advanced Energy Materials_DOI: 10.1002/aenm.202404617
本文章為Enlitech光焱科技改寫 用于科研學(xué)術(shù)分享 如有任何侵權(quán) 請(qǐng)來信告知
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